Search from the Journals, Articles, and Headings
Advanced Search (Beta)
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...
Loading...

مولانا مطلوب الرحمن عثمانی

مولانا مطلوب الرحمن عثمانی
افسوس ہے گذشتہ ماہ جولائی کی۱۷/تاریخ کوبیاسی سال کی عمر میں جناب مولانا مطلوب الرحمن صاحب عثمانی نے کراچی میں داعی اجل کولبیک کہا اوراپنے ہزاروں مریدوں اورعقیدت مندوں سے دائمی مفارقت اختیار کی۔مولانا دیوبند کے مشہور عثمانی خاندان کے گوہر شب چراغ تھے۔حضرت مولانا مفتی عزیز الرحمن صاحبؒ کے برادر خورد اورحضرت الاستاذ مولانا شبیر احمد عثمانی سے عمر میں بڑے تھے۔صورت شکل، قدوقامت اور رنگ میں اپنے چھوٹے بھائی سے زیادہ مشابہت رکھتے تھے۔عربی اوردینیات کی تعلیم مشکوٰۃ تک پائی تھی۔انگریزی میں میٹرک تھے۔ ذہانت اور طباعی اس خاندان کا ورثہ ہے اس لیے مطالعہ اور ذاتی غور و فکر کانتیجہ یہ تھا کہ دینی اوردنیوی ہرقسم کے موضوع پر بڑی سنجیدہ، موثر اور دلنشین تقریر کرتے تھے۔
محکمۂ نہر میں عرصہ تک اورسیر کے عہدہ پرکام کرتے رہے، لیکن طبیعت شروع سے سلوک وطریقت کی جانب مائل تھی۔چنانچہ شیخ الہند مولانا محمود حسنؒ سے بیعت تھے۔حجاز میں حضرت شیخ الہند کی گرفتاری کے بعد جب ہندوستان میں حضرت سے چند خصوصی تعلق رکھنے والے حضرات پکڑے گئے تواُن میں مولانا مرحوم بھی تھے، پولیس نے بڑی سختیاں کیں اور سخت اذیتیں دیں لیکن حضرت شیخ الہند کی تحریک کے جو رازہائے سربستہ آپ کے سینے میں محفوظ تھے اُن کو شناسائے حرف وصوت نہ ہونے دیا۔حضرت شیخ الہند کی وفات کے بعد مرحوم نے بڑے بھائی حضرت مفتی صاحب سے رجوع کیا اورروحانی تربیت حاصل کی۔تحریک خلافت کے آخری دنوں میں ملازمت سے استعفی دے دیااور اب ہمہ تن تبلیغ اسلام اورروحانی ارشاد وہدایت کے کاموں میں لگ گئے۔ مشرکانہ رسم ورواج اوربدعات سے سخت نفور تھے۔اس سلسلہ میں برسوں بریلی میں مقیم رہے اورعام ابلاغ حق اورارشاد وہدایت کے علاوہ اہل بدعات سے مناظرے بھی کرتے رہے۔پھر انگریزی تعلیم یافتہ طبقہ کی اصلاح کی طرف متوجہ ہوئے تو خاص...

اخلاق کی علمی، ادبی اور معاشرتی اہمیت

Ethics and moral values are more significant than other behaviors and emotions at all world religions. There are two kinds of ethics behind the action of a human being towards the practical life in any human society Individual ethics and collective ethics. In this article the author focuses on both of them and described in the light of QUR'AN and SUNNAH. He differentiates also its shapes one from another, He probed from recent history that an individually honest man can be seemed to play un-ethical and Hippocratic role under the shadow of so-called collective ethics or national interest.

Study and Analysis of Space Radiation Effects on Vlsi Microelectronics Devices

This research thesis presents the assessment/determination of level of hazard/threat to emerging microelectronics devices in Low Earth Orbit (LEO) space radiation environment with different orbital parameters to predict the performance of onboard memories and/or random logic devices fabricated in 65 nm technology node. In this context, the various parameters for space radiation environment have been analyzed to characterize the ionizing radiation environment effects on proposed VLSI devices. The space radiation environment has been modeled in the form of particles trapped in Van-Allen Earth Radiation Belts (ERBs), Energetic Solar Particles Event (ESPE) and Galactic Cosmic Rays (GCRs) whereas its potential effects on Device- Under-Test (DUT) has been predicted in terms of Total Ionizing Dose (TID), Single-Event Effects (SEE) and Displacement Damage Dose (DDD). The required mitigation techniques including necessary shielding requirements to avoid undesirable effects of radiation environment at device level has been determined with assumed typical Aluminum shield thickness of 100 mils or 2.54 mm. In order to evaluate space radiation environment and analyze energetic particles effects on six transistors (6T) Static Random Access Memory (SRAM) bit-cell, Outil de Modélisation de l‟Environnement Radiatif Externe (OMERE) toolkit developed by Tests & Radiations (TRAD) company/organization located at Toulouse France was utilized. Therefore, this thesis focuses on the radiation response of 6T SRAM bit-cell circuits operating in radiation environment existing at LEO. The performance of bulk CMOS technology based devices was evaluated by characterizing its susceptibility to Single Event Upsets (SEUs). Further, the impact of technology scaling on SEU rates, Linear Energy Transfer (LET) threshold and area of cross-section per bit/device due to ionizing radiation environment at an altitude up to 1000 km was simulated. Due to irradiation of gate and drain regions of off-state NMOS transistor in SRAM bit cell with LET spectrum of particles transmitted through shielding, the magnitude and pulse duration of generated transient current translated to voltage pulses were analyzed. The sensitive strike locations for 65 nm SRAM bitcell were presented in SEU map whereas Cumulative Distribution Function (CDF) for upset probability regarding SEU occurrence was presented as a function of Vdmin i.e. minimum differential voltage between the internal complementary storage nodes of SRAM represented by Q Q (Q-bar). Finally, the SEU sensitive parameters required to predict SEU rate of on-board target device i.e. 65nm SRAM was calculated with typical Aluminum spot shielding using fully physical mechanism simulation. Moreover, contribution of Multiple Cell Upsets (MCUs) towards total SEU rate for 65nm SRAM bitcell was determined with Multi Scale Single Event Phenomenon Prediction Platform (MUSCA SEP3) toolkit The effect of TID on MOS devices in LEO environment to cause electrostatic potential variations and drain leakage current “Id” was determined with Genius device simulator module of Visual TCAD. Finally, effect of Displacement Damage Dose (DDD) was estimated for 1 MeV electron and 10 MeV protons fluence with the help of OMERE-TRAD toolkit. In order to characterize the robustness of scaled CMOS devices, state of the art simulation tools such as Klayout, GDS2MESH, Visual TCAD/Genius, GSEAT/Visual Particle, runSEU and MUSCA SEP3 were utilized whereas LEO radiation environment assessment as well as single event upset rate prediction was accomplished with the help of OMERE-TRAD software.
Asian Research Index Whatsapp Chanel
Asian Research Index Whatsapp Chanel

Join our Whatsapp Channel to get regular updates.